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IPB180N10S403ATMA1

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IPB180N10S403ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

não conforme

IPB180N10S403ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.15076 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 180µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10120 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

SUM90P10-19L-E3
IXFX26N90
IXFX26N90
$0 $/pedaço
APT77N60BC6
NTLUS3192PZTAG
NTLUS3192PZTAG
$0 $/pedaço
DMG4710SSS-13
NTMFS5C646NLT1G
NTMFS5C646NLT1G
$0 $/pedaço
DMTH6010SCT
DMTH6010SCT
$0 $/pedaço
ZXMN6A07ZTA
ZXMN6A07ZTA
$0 $/pedaço
FQD20N06TM
FQD20N06TM
$0 $/pedaço

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