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IPB180N04S401ATMA1

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IPB180N04S401ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

não conforme

IPB180N04S401ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.37314 -
2,000 $1.27844 -
5,000 $1.23109 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 140µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 176 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

SPP21N50C3XKSA1
BUK9520-55A,127
BUK9520-55A,127
$0 $/pedaço
ZXMN6A08KTC
ZXMN6A08KTC
$0 $/pedaço
IRFR3410TRLPBF
APT12057B2LLG
STD80N3LL
STD80N3LL
$0 $/pedaço
DMN3042LFDF-13

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