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IPB160N04S4LH1ATMA1

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IPB160N04S4LH1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

não conforme

IPB160N04S4LH1ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.13373 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 160A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 110µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14950 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

IRFP048RPBF
IRFP048RPBF
$0 $/pedaço
IXFH60N60X
IXFH60N60X
$0 $/pedaço
IRFB4110GPBF
FDFS2P106A
FDFS2P106A
$0 $/pedaço
DMPH6250SQ-13
BUK9219-55A,118

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