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IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

compliant

IPB160N04S4H1ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.13373 -
2,000 $1.05554 -
5,000 $1.01644 -
10,000 $0.99512 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 160A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 110µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 137 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10920 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

SQ3481EV-T1_GE3
MMDF4N01HDR2
MMDF4N01HDR2
$0 $/pedaço
PSMN5R0-40MLHX
RJ1P12BBDTLL
RJ1P12BBDTLL
$0 $/pedaço
STB46NF30
STB46NF30
$0 $/pedaço
MMFTP3401
MMFTP3401
$0 $/pedaço
NDF02N60ZG
NDF02N60ZG
$0 $/pedaço

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