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IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

compliant

IPB160N04S3H2ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.34267 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 160A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 150µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

NTLJS5D0N03CTAG
NTLJS5D0N03CTAG
$0 $/pedaço
IRFH8303TRPBF
SQJA84EP-T1_GE3
NTTFS002N04CTAG
NTTFS002N04CTAG
$0 $/pedaço
NVTFWS015N04CTAG
NVTFWS015N04CTAG
$0 $/pedaço
SI7806ADN-T1-GE3
RHK003N06FRAT146
2SK2463T100
2SK2463T100
$0 $/pedaço

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