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IPB120N06S402ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

não conforme

IPB120N06S402ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.11346 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 140µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 195 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15750 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STB3N62K3
STB3N62K3
$0 $/pedaço
FQP18N50V2
RCD080N25TL
RCD080N25TL
$0 $/pedaço
IRF9530NSTRLPBF
RM4N650LD
RM4N650LD
$0 $/pedaço
IXFK100N65X2
IXFK100N65X2
$0 $/pedaço
APT66M60L
APT66M60L
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IXTA06N120P
IXTA06N120P
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NTMFS015N15MC
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