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IPB11N03LA

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IPB11N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

compliant

IPB11N03LA Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 20µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1358 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STW80NE06-10
STW80NE06-10
$0 $/pedaço
IRFIB6N60A
IRFIB6N60A
$0 $/pedaço
SI3441BDV-T1-E3
IXFB80N50Q2
IXFB80N50Q2
$0 $/pedaço
FQD7N20TM
FQD7N20TM
$0 $/pedaço
IRF2804STRL
FDB24AN06LA0
APT55M65JFLL
NTD4969NT4G
NTD4969NT4G
$0 $/pedaço
IRF7701TRPBF

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