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IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

compliant

IPB108N15N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.36652 -
2,000 $2.24819 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 83A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.8mOhm @ 83A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 160µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3230 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

ISP16DP10LMXTSA1
RQ6E080AJTCR
RQ6E080AJTCR
$0 $/pedaço
IPB60R099P7ATMA1
IPT60R065S7XTMA1
TN2540N8-G
TN2540N8-G
$0 $/pedaço
AUIRFSA8409-7TRL
FDMS039N08B
FDMS039N08B
$0 $/pedaço
BSC026N04LSATMA1

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