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IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

compliant

IPB107N20N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.84021 -
2,000 $3.69798 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 88A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.7mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 270µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7100 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMP3007LSS-13
2SK4101FS
2SK4101FS
$0 $/pedaço
SIB4317EDK-T1-GE3
SIDR680DP-T1-RE3
STF3LN80K5
STF3LN80K5
$0 $/pedaço
IRFI4321PBF
CSD25404Q3T
CSD25404Q3T
$0 $/pedaço

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