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IPB100N04S204ATMA1

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IPB100N04S204ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

compliant

IPB100N04S204ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 172 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

GA06JT12-247
FDD86380-F085
FDD86380-F085
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NVMFS5C404NWFT1G-M
NVMFS5C404NWFT1G-M
$0 $/pedaço
IRFU3711
IRFU3711
$0 $/pedaço
IRLZ44ZS
IRLZ44ZS
$0 $/pedaço
FDMS7560S
IRF7811AVTRPBF
IRF7452
IRF7452
$0 $/pedaço
IRF737LC
IRF737LC
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FQU7N10LTU
FQU7N10LTU
$0 $/pedaço

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