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IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

não conforme

IPB06N03LB G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2782 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

PHD16N03LT,118
PHD16N03LT,118
$0 $/pedaço
IRFP044N
IRFP044N
$0 $/pedaço
NTF3055L175T3G
NTF3055L175T3G
$0 $/pedaço
SI3493DV-T1-E3
SI3493DV-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF7324D1
IRF7324D1
$0 $/pedaço
STF16N50U
STF16N50U
$0 $/pedaço
STF60N55F3
STF60N55F3
$0 $/pedaço
IRLR7843TRRPBF

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