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IPB03N03LAG

IPB03N03LAG

IPB03N03LAG

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

IPB03N03LAG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
1000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 57 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7027 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF6618TRPBF
SI7738DP-T1-GE3
IRF3710ZPBF
SI4464DY-T1-GE3
IPS80R2K4P7AKMA1
VN10KN3-G-P014
SUP53P06-20-E3
SUP53P06-20-E3
$0 $/pedaço
IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
$0 $/pedaço
NTE454
NTE454
$0 $/pedaço
HUF76131SK8T

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