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IPB016N06L3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

não conforme

IPB016N06L3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.58612 -
2,000 $2.45682 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 196µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 166 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 28000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

EPC8010
EPC8010
$0 $/pedaço
NTD4815NHT4G
NTD4815NHT4G
$0 $/pedaço
NTE2388
NTE2388
$0 $/pedaço
IRF624SPBF
IRF624SPBF
$0 $/pedaço
FQPF2N30
SI3407DV-T1-BE3
DMTH6016LK3-13
NTTFS1D2N02P1E
NTTFS1D2N02P1E
$0 $/pedaço
FQD17N08LTF
DMN62D0LFB-7

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