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IPA60R099C7XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP

não conforme

IPA60R099C7XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $3.60068 $1800.34
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 490µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1819 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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