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IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

compliant

IMW65R030M1HXKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $23.35000 $23.35
500 $23.1165 $11558.25
1000 $22.883 $22883
1500 $22.6495 $33974.25
2000 $22.416 $44832
2500 $22.1825 $55456.25
231 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 58A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 18V
rds em (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 29.5A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id 5.7V @ 8.8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 18 V
vgs (máx.) +20V, -2V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1643 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 197W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-3-41
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFIZ44GPBF
IRFIZ44GPBF
$0 $/pedaço
DMP3036SSS-13
SIHP6N80AE-GE3
SIHP6N80AE-GE3
$0 $/pedaço
C3M0045065D
C3M0045065D
$0 $/pedaço
SIHS90N65E-GE3
SIHS90N65E-GE3
$0 $/pedaço
ZVN2110ASTZ
ZVN2110ASTZ
$0 $/pedaço
STP5N105K5
STP5N105K5
$0 $/pedaço
APT12057JFLL
C3M0016120K
C3M0016120K
$0 $/pedaço

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