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IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

não conforme

IMBG65R072M1HXTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $13.25000 $13.25
500 $13.1175 $6558.75
1000 $12.985 $12985
1500 $12.8525 $19278.75
2000 $12.72 $25440
2500 $12.5875 $31468.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto -
tecnologia -
tensão de dreno para fonte (vdss) -
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c -
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -
tipo de montagem -
pacote de dispositivo do fornecedor -
pacote / caixa -
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Número da peça relacionada

FDMS0355S
DMTH6009SPS-13
NTH4L060N090SC1
NTH4L060N090SC1
$0 $/pedaço
IRF723
IRF723
$0 $/pedaço
BUK752R3-40E,127
DMP2006UFGQ-13
DMT10H9M9SK3-13

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