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BSZ097N04LSGATMA1

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MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON

não conforme

BSZ097N04LSGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.34155 -
10,000 $0.32890 -
25,000 $0.32200 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 14µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSDSON-8
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IXFP8N85X
IXFP8N85X
$0 $/pedaço
IXFA12N65X2
IXFA12N65X2
$0 $/pedaço
FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102
$0 $/pedaço
PHK31NQ03LT,518
IRF840ASTRRPBF
IRF840ASTRRPBF
$0 $/pedaço
IPI60R385CP
NTGS3441T1G
NTGS3441T1G
$0 $/pedaço
RM12P30S8
RM12P30S8
$0 $/pedaço

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