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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | P-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 60 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 2.9A (Ta) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 4V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 33 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 875 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 1.8W (Ta) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | PG-SOT223-4 |
| pacote / caixa | TO-261-4, TO-261AA |
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