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BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

compliant

BSO615NGHUMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.44583 -
5,000 $0.42354 -
12,500 $0.40762 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 20µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 380pF @ 25V
potência - máx. 2W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor PG-DSO-8
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Número da peça relacionada

TPS2013APWR
TPS2013APWR
$0 $/pedaço
ECH8660-S-TL-H
ECH8660-S-TL-H
$0 $/pedaço
IRF9395MTRPBF
FDS8984-F085
FDS8984-F085
$0 $/pedaço
IRF7755GTRPBF
IRF7901D1TRPBF
SP8K5TB
SP8K5TB
$0 $/pedaço

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