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BSO615N

BSO615N

BSO615N

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

BSO615N Ficha de dados

não conforme

BSO615N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 20µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 380pF @ 25V
potência - máx. 2W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor PG-DSO-8
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Número da peça relacionada

SI5515DC-T1-GE3
NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/pedaço
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/pedaço
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/pedaço
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
SI6967DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
PMV50ENEA,215
$0 $/pedaço
SI6983DQ-T1-E3
SI6983DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
SI6975DQ-T1-GE3

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