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BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1

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MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

não conforme

BSG0813NDIATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.01930 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
característica fet Logic Level Gate, 4.5V Drive
tensão de dreno para fonte (vdss) 25V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A, 33A
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.4nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1100pF @ 12V
potência - máx. 2.5W
temperatura de operação -55°C ~ 155°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-PowerTDFN
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TISON-8
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Número da peça relacionada

FDME1024NZT
FDME1024NZT
$0 $/pedaço
CSD87381PT
CSD87381PT
$0 $/pedaço
DMN2710UDWQ-7
DMG1016UDWQ-7
NTLJD2104PTBG
NTLJD2104PTBG
$0 $/pedaço
DMN33D8LDW-13
DMN2028UFDH-7

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