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BSC118N10NSGATMA1

BSC118N10NSGATMA1

BSC118N10NSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON

compliant

BSC118N10NSGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.72258 -
10,000 $0.70742 -
15860 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta), 71A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 70µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3700 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 114W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-1
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SIHG73N60AE-GE3
BUK954R8-60E,127
BUK954R8-60E,127
$0 $/pedaço
IRF6645TRPBF
VP2450N8-G
VP2450N8-G
$0 $/pedaço
2SK2624LS-CD11
2SK2624LS-CD11
$0 $/pedaço
NTGD3133PT1H
NTGD3133PT1H
$0 $/pedaço
NTMFS5C604NLT1G
NTMFS5C604NLT1G
$0 $/pedaço
MT9M131C12STC-MI-DR
MT9M131C12STC-MI-DR
$0 $/pedaço

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