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BSC084P03NS3GATMA1

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BSC084P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON

não conforme

BSC084P03NS3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.47182 -
10,000 $0.45408 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.1V @ 105µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4785 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-5
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SIHP24N80AEF-GE3
IXFP60N25X3M
IXFP60N25X3M
$0 $/pedaço
IPA65R1K5CEXKSA1
DMP2045UQ-13
FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N
$0 $/pedaço
HUF76429D3
SQJ486EP-T1_BE3
SUD50N03-06AP-E3
IRFR9310PBF
IRFR9310PBF
$0 $/pedaço
IRFD024PBF
IRFD024PBF
$0 $/pedaço

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