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BSC061N08NS5ATMA1

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BSC061N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 82A TDSON

não conforme

BSC061N08NS5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.77234 -
10,000 $0.75614 -
1 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 82A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.1mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 41µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2500 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-7
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

BUK7880-55A/CUX
FDMS86500DC
FDMS86500DC
$0 $/pedaço
PMPB20UN,115
PMPB20UN,115
$0 $/pedaço
R6009ENJTL
R6009ENJTL
$0 $/pedaço

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