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BSC050N10NS5ATMA1

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BSC050N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON

compliant

BSC050N10NS5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.30402 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 72µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4300 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-7
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

RM18P100HDE
RM18P100HDE
$0 $/pedaço
STP2NK90Z
STP2NK90Z
$0 $/pedaço
IRFR110TRLPBF
IRFR110TRLPBF
$0 $/pedaço
SIR638DP-T1-GE3
IPW65R065C7XKSA1
MTP1N50E
MTP1N50E
$0 $/pedaço
SPU02N60S5XK
GA50JT12-247
HUF75639P3
HUF75639P3
$0 $/pedaço

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