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BSC030N03LSGATMA1

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BSC030N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

não conforme

BSC030N03LSGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.47524 -
10,000 $0.45943 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4300 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-1
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SI4894BDY-T1-GE3
IXTA10N60P
IXTA10N60P
$0 $/pedaço
G65P06K
G65P06K
$0 $/pedaço
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/pedaço
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3
$0 $/pedaço

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