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BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON

não conforme

BSC019N04LSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.75075 -
22950 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2900 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-1
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

AUIRF1324STRL
NX7002BKMYL
NX7002BKMYL
$0 $/pedaço
STH13N120K5-2AG
IPB60R380C6ATMA1
NTMS4700NR2G
NTMS4700NR2G
$0 $/pedaço
SI3440DV-T1-E3
SI3440DV-T1-E3
$0 $/pedaço
CSD17501Q5A
CSD17501Q5A
$0 $/pedaço
IXFQ94N30P3
IXFQ94N30P3
$0 $/pedaço
DMG1013UWQ-13

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