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BSC012N06NSATMA1

BSC012N06NSATMA1

BSC012N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8

compliant

BSC012N06NSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.60681 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 36A (Ta), 306A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.3V @ 147µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSON-8-3
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SQ1421EDH-T1_GE3
NTR1P02T1G
NTR1P02T1G
$0 $/pedaço
APT5015BVFRG
SIHU4N80AE-GE3
SIHU4N80AE-GE3
$0 $/pedaço
DMNH6021SPSW-13
IPB60R600CP
DI030N03D1
DI030N03D1
$0 $/pedaço
IRF4905STRLPBF
SIA446DJ-T1-GE3

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