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BSB044N08NN3GXUMA1

BSB044N08NN3GXUMA1

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MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON

compliant

BSB044N08NN3GXUMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.46277 -
4817 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 97µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5700 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
pacote / caixa 3-WDSON
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Número da peça relacionada

SI1480DH-T1-BE3
IXTH76P10T
IXTH76P10T
$0 $/pedaço
IXTP26P20P
IXTP26P20P
$0 $/pedaço
FQPF6N60C
FDBL0210N80
FDBL0210N80
$0 $/pedaço
STN3NF06L
STN3NF06L
$0 $/pedaço

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