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GT55N06D5

GT55N06D5

GT55N06D5

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

compliant

GT55N06D5 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
2244 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 53A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1988 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (4.9x5.75)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

DMN3010LFG-13
DMN3025LFG-7
NVTFS5C454NLTAG
NVTFS5C454NLTAG
$0 $/pedaço
G45P02D3
G45P02D3
$0 $/pedaço
RF1S40N10SM
RF1S40N10SM
$0 $/pedaço
DMN3016LPS-13
NVHL082N65S3HF
NVHL082N65S3HF
$0 $/pedaço
NTMFS4C810NAT1G
NTMFS4C810NAT1G
$0 $/pedaço

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