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GT100N12D5

GT100N12D5

GT100N12D5

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

compliant

GT100N12D5 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.64000 $1.64
500 $1.6236 $811.8
1000 $1.6072 $1607.2
1500 $1.5908 $2386.2
2000 $1.5744 $3148.8
2500 $1.558 $3895
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3050 pF @ 60 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 120W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

RF1S640
RF1S640
$0 $/pedaço
DMT10H009LPS-13
FDC796N
FDC796N
$0 $/pedaço
2SJ609
2SJ609
$0 $/pedaço
IRFR9220PBF-BE3
R8002KND3TL1
R8002KND3TL1
$0 $/pedaço
DMT40M9LPS-13

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