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GT088N06T

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GT088N06T

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

compliant

GT088N06T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.07000 $1.07
500 $1.0593 $529.65
1000 $1.0486 $1048.6
1500 $1.0379 $1556.85
2000 $1.0272 $2054.4
2500 $1.0165 $2541.25
50 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1620 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STD13NM60ND
STD13NM60ND
$0 $/pedaço
CSD17306Q5A
CSD17306Q5A
$0 $/pedaço
PMZ600UNE315
PMZ600UNE315
$0 $/pedaço
MCH6431-P-TL-H
MCH6431-P-TL-H
$0 $/pedaço
PMZB1200UPEYL
BSP129H6906XTSA1
DMN2400UFB-7
PMXB40UNEZ
PMXB40UNEZ
$0 $/pedaço

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