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GT035N06T

GT035N06T

GT035N06T

N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V

não conforme

GT035N06T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.11000 $2.11
500 $2.0889 $1044.45
1000 $2.0678 $2067.8
1500 $2.0467 $3070.05
2000 $2.0256 $4051.2
2500 $2.0045 $5011.25
200 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5064 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 215W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

APT50M85JVR
IPB60R190C6ATMA1
FDV301N
FDV301N
$0 $/pedaço
BUK9Y29-40E,115
IRF8301MTRPBF
BUK9Y3R5-40E,115
IXFH50N20
IXFH50N20
$0 $/pedaço
IRLML6302TRPBF

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