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GC20N65F

GC20N65F

GC20N65F

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

compliant

GC20N65F Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.94000 $2.94
500 $2.9106 $1455.3
1000 $2.8812 $2881.2
1500 $2.8518 $4277.7
2000 $2.8224 $5644.8
2500 $2.793 $6982.5
88 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1724 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

FDI8441
FDI8441
$0 $/pedaço
2SK4066-DL-E
2SK4066-DL-E
$0 $/pedaço
IRFR220TRLPBF
IRFR220TRLPBF
$0 $/pedaço
PBHV9115TLH215
FQP5N30
FQP5N30
$0 $/pedaço
IXFN120N65X2
IXFN120N65X2
$0 $/pedaço
SQJ415EP-T1_BE3
SI2309CDS-T1-BE3
DMN53D0U-13
DMN53D0U-13
$0 $/pedaço

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