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G86N06K

G86N06K

G86N06K

N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,

SOT-23

G86N06K Ficha de dados

não conforme

G86N06K Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.16000 $1.16
500 $1.1484 $574.2
1000 $1.1368 $1136.8
1500 $1.1252 $1687.8
2000 $1.1136 $2227.2
2500 $1.102 $2755
2454 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 68A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 8.4mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2860 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

CSD18511KCS
CSD18511KCS
$0 $/pedaço
STF26N60DM6
STF26N60DM6
$0 $/pedaço
SIHH21N65EF-T1-GE3
FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0
$0 $/pedaço
IRL620SPBF
IRL620SPBF
$0 $/pedaço
FCPF190N60
FCPF190N60
$0 $/pedaço
PSMN2R7-30PL,127
DMN26D0UT-7
DMN26D0UT-7
$0 $/pedaço

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