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G30N02T

G30N02T

G30N02T

N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

G30N02T Ficha de dados

compliant

G30N02T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SIR403EDP-T1-GE3
FQPF10N50CF
FQPF10N50CF
$0 $/pedaço
SIHL620S-GE3
SIHL620S-GE3
$0 $/pedaço
FQAF11N90C
FQAF11N90C
$0 $/pedaço
NVB082N65S3F
NVB082N65S3F
$0 $/pedaço
IPW65R019C7FKSA1
NVD5C684NLT4G
NVD5C684NLT4G
$0 $/pedaço
BUK7506-55B,127
BUK7506-55B,127
$0 $/pedaço

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