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G20N03K

G20N03K

G20N03K

N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M

G20N03K Ficha de dados

não conforme

G20N03K Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
4900 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 923 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

STFU18N65M2
STFU18N65M2
$0 $/pedaço
IRFR222
IRFR222
$0 $/pedaço
SI2304-TP
SI2304-TP
$0 $/pedaço
IRLR8729TRLPBF
P3M12160K4
UJ4SC075011K4S
UJ4SC075011K4S
$0 $/pedaço
NTD4810NH-1G
NTD4810NH-1G
$0 $/pedaço
NVLUS4C12NTAG
NVLUS4C12NTAG
$0 $/pedaço
SI4190ADY-T1-GE3
SQ1431EH-T1_GE3

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