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G16P03D3

G16P03D3

G16P03D3

P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18

compliant

G16P03D3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
9686 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1995 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (3.15x3.05)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

2SJ320
2SJ320
$0 $/pedaço
2N7002KHE3-TP
DMN31D6UT-7
DMN31D6UT-7
$0 $/pedaço
BTS244Z
BTS244Z
$0 $/pedaço
NTMYS3D8N04CLTWG
NTMYS3D8N04CLTWG
$0 $/pedaço
RS1L151ATTB1
RS1L151ATTB1
$0 $/pedaço

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