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G1003A

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G1003A

N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2

G1003A Ficha de dados

compliant

G1003A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
1249 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 210mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 622 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

DMT35M4LFVW-7
NVTFS040N10MCLTAG
NVTFS040N10MCLTAG
$0 $/pedaço
SIS4608LDN-T1-GE3
IRF9531
IRF9531
$0 $/pedaço
IRF9540
IRF9540
$0 $/pedaço
MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3
$0 $/pedaço
DMPH4029LFGQ-13

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