Welcome to ichome.com!

logo
Lar

GP2T080A120U

GP2T080A120U

GP2T080A120U

SemiQ

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

compliant

GP2T080A120U Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $12.44000 $12.44
500 $12.3156 $6157.8
1000 $12.1912 $12191.2
1500 $12.0668 $18100.2
2000 $11.9424 $23884.8
2500 $11.818 $29545
20 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 10mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 20 V
vgs (máx.) +25V, -10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1377 pF @ 1000 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247-3
pacote / caixa TO-247-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

STP60N043DM9
STP60N043DM9
$0 $/pedaço
IRF4104SPBF
SIR4608LDP-T1-GE3
NVTFWS004N04CTAG
NVTFWS004N04CTAG
$0 $/pedaço
SQ4850EY-T1_GE3
IXFP220N06T3
IXFP220N06T3
$0 $/pedaço
PSMN4R0-40YS,115
DMN2004WK-7
DMN2004WK-7
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.