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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| tensão - dc reversa (vr) (máx.) | 8000 V |
| corrente - média retificada (io) | 50mA (DC) |
| tensão - direta (vf) (máx.) @ if | 4.6 V @ 50 mA |
| velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
| corrente - fuga reversa @ vr | 3.8 µA @ 8000 V |
| capacitância @ vr, f | 25pF @ 1V, 1MHz |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote / caixa | Axial |
| pacote de dispositivo do fornecedor | - |
| temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
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