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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| tensão - dc reversa (vr) (máx.) | 1200 V |
| corrente - média retificada (io) | 9.4A (DC) |
| tensão - direta (vf) (máx.) @ if | 1.6 V @ 10 A |
| velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
| corrente - fuga reversa @ vr | 20 µA @ 1200 V |
| capacitância @ vr, f | 884pF @ 1V, 1MHz |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote / caixa | TO-257-3 |
| pacote de dispositivo do fornecedor | TO-257 |
| temperatura de operação - junção | -55°C ~ 250°C |
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