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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 200 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 3A (Ta) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 5V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.5V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs (máx.) | +6V, -4V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 573 pF @ 100 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | - |
| temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | Die |
| pacote / caixa | Die |
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