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EPC2039

EPC2039

EPC2039

EPC

GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

EPC2039 Ficha de dados

compliant

EPC2039 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.63000 -
27025 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 2.4 nC @ 5 V
vgs (máx.) +6V, -4V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 210 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Die
pacote / caixa Die
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Número da peça relacionada

NTNS3193NZT5G
NTNS3193NZT5G
$0 $/pedaço
NTMFS4C09NAT1G
NTMFS4C09NAT1G
$0 $/pedaço
STB120NF10T4
STB120NF10T4
$0 $/pedaço
SIHP22N60AE-BE3
BUK765R0-100E,118
PSMN4R4-80PS,127
IRF830BPBF-BE3
IRF830BPBF-BE3
$0 $/pedaço
RQ6A045APTCR
RQ6A045APTCR
$0 $/pedaço

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