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EPC2030

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EPC2030

EPC

GANFET NCH 40V 31A DIE

EPC2030 Ficha de dados

compliant

EPC2030 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $4.10020 $2050.1
1,000 $3.45800 -
6159 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 31A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 16mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1900 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Die
pacote / caixa Die
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Número da peça relacionada

IRFSL3006PBF
FQA55N25
FQA55N25
$0 $/pedaço
DMN3020UTS-13
SI1443EDH-T1-GE3
BUK6213-30A,118
BUK6213-30A,118
$0 $/pedaço
IPB65R225C7ATMA2
SIHF12N50C-E3
SIHF12N50C-E3
$0 $/pedaço
NTD23N03RT4G
NTD23N03RT4G
$0 $/pedaço

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