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DMTH69M8LFVW-7

DMTH69M8LFVW-7

DMTH69M8LFVW-7

MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI

compliant

DMTH69M8LFVW-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.30257 $0.30257
500 $0.2995443 $149.77215
1000 $0.2965186 $296.5186
1500 $0.2934929 $440.23935
2000 $0.2904672 $580.9344
2500 $0.2874415 $718.60375
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1925 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

DMN3018SFGQ-13
2SJ604-ZJ-E1-AZ
2SJ604-ZJ-E1-AZ
$0 $/pedaço
APT1201R6BVRG
BSB165N15NZ3G
DMTH8008SPSQ-13
MSJB17N80-TP
DMN10H220LFVW-13

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