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DMTH4M70SPGW-13

DMTH4M70SPGW-13

DMTH4M70SPGW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

não conforme

DMTH4M70SPGW-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.89000 $1.89
500 $1.8711 $935.55
1000 $1.8522 $1852.2
1500 $1.8333 $2749.95
2000 $1.8144 $3628.8
2500 $1.7955 $4488.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 460A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117.1 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10053 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.6W (Ta), 428W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI8080-5
pacote / caixa SOT-1235
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Número da peça relacionada

IRF523
IRF523
$0 $/pedaço
NDCTR2065A
NDCTR2065A
$0 $/pedaço
NTMFS6H858NT1G
NTMFS6H858NT1G
$0 $/pedaço
BUK9Y8R8-60ELX
MCAC95N065Y-TP
RF1S4N100SM9A
NVMFWS3D0P04M8LT1G
NVMFWS3D0P04M8LT1G
$0 $/pedaço
RJK5013DPP-E0#T2
RJK5013DPP-E0#T2
$0 $/pedaço
G30N04D3
G30N04D3
$0 $/pedaço

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