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DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

não conforme

DMTH10H1M7STLWQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.78000 $5.78
500 $5.7222 $2861.1
1000 $5.6644 $5664.4
1500 $5.6066 $8409.9
2000 $5.5488 $11097.6
2500 $5.491 $13727.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 250A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9871 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6W (Ta), 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor POWERDI1012-8
pacote / caixa 8-PowerSFN
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Número da peça relacionada

IRF6797MTRPBF
RQ6E035ATTCR
RQ6E035ATTCR
$0 $/pedaço
SQD15N06-42L_T4GE3
FQAF16N50
FQAF16N50
$0 $/pedaço
IPT029N08N5ATMA1
R6004CNDTL
R6004CNDTL
$0 $/pedaço
SI1403BDL-T1-E3
NTMFS4C10NBT1G
NTMFS4C10NBT1G
$0 $/pedaço
SI7309DN-T1-GE3
STW68N60M6-4
STW68N60M6-4
$0 $/pedaço

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