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DMTH10H072LPS-13

DMTH10H072LPS-13

DMTH10H072LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

não conforme

DMTH10H072LPS-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.26652 $0.26652
500 $0.2638548 $131.9274
1000 $0.2611896 $261.1896
1500 $0.2585244 $387.7866
2000 $0.2558592 $511.7184
2500 $0.253194 $632.985
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 57mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.1 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 266 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta), 51.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI5060-8 (Type UX)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IXFN110N85X
IXFN110N85X
$0 $/pedaço
IXFN74N100X
IXFN74N100X
$0 $/pedaço
VN3205N3-G
VN3205N3-G
$0 $/pedaço
RUE003N02TL
RUE003N02TL
$0 $/pedaço
BUK653R5-55C,127
BUK653R5-55C,127
$0 $/pedaço
PMN25ENEH
PMN25ENEH
$0 $/pedaço
PMV48XPAR
PMV48XPAR
$0 $/pedaço
SIHF080N60E-GE3

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