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DMT10H009SCG-7

DMT10H009SCG-7

DMT10H009SCG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

compliant

DMT10H009SCG-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.42335 $0.42335
500 $0.4191165 $209.55825
1000 $0.414883 $414.883
1500 $0.4106495 $615.97425
2000 $0.406416 $812.832
2500 $0.4021825 $1005.45625
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Ta), 48A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2085 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor V-DFN3333-8 (Type B)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SIL3415-TP
SIL3415-TP
$0 $/pedaço
IRFD1Z3
IRFD1Z3
$0 $/pedaço
DMT32M5LFG-13
ISZ0803NLSATMA1
NVDS015N15MCT4G
NVDS015N15MCT4G
$0 $/pedaço
RFP2N12
RFP2N12
$0 $/pedaço
DMN3009LFVWQ-7
NTMFS4C808NAT1G
NTMFS4C808NAT1G
$0 $/pedaço

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